Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
Haiti
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
Haiti
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
CWDM3011N TR13 PBFREE
Product Overview
Fabricant:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CWDM3011N TR13 PBFREE-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Description détaillée:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventaire:
2748 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12788735
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
N
e
U
z
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
CWDM3011N TR13 PBFREE Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Central Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.3 nC @ 5 V
Vgs (max.)
20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
860 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SOIC
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
CWDM3011
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
CWDM3011N Spice Model
Fiches techniques
CWDM3011N
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
-CWDM3011N TR13 PBFREE
-CWDM3011N TR13-DG
-CWDM3011N TR13-DKR
1514-CWDM3011NTR13PBFREETR
-CWDM3011N TR13-DKR-DG
CWDM3011NCT
CWDM3011N TR-DG
-CWDM3011N TR13-CT-DG
CWDM3011N DKR-DG
CWDM3011N TR13 LEAD FREE
-CWDM3011NDKR
-1583-CWDM3011NTR13PBFREECT
CWDM3011NTR
-CWDM3011N TR13
-CWDM3011NCT-DG
CWDM3011NTR-DG
-CWDM3011N DKR-DG
CWDM3011N TR13
CWDM3011NDKR
CWDM3011NCT-DG
1514-CWDM3011NTR13PBFREEDKR
CWDM3011NDKR-DG
CWDM3011N CT-DG
CWDM3011N CT
-CWDM3011NDKR-DG
-CWDM3011N CT-DG
-1583-CWDM3011NTR13PBFREEDKR
-CWDM3011NCT
CWDM3011N DKR
1514-CWDM3011NTR13PBFREECT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
CP373-CMPDM303NH-CT
MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
CMPDM303NH TR
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F
CSD18535KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
CSD17507Q5A
MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON